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产品特点
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| 技术参数 | ||||
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型号 |
P77.50S85 |
单位 |
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运动自由度 |
Z |
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标称行程范围（0~120V） |
40 |
μm±10% |
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Max.行程范围（0~150V） |
50 |
μm±10% |
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传感器类型 |
SGS/- |
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通孔尺寸 |
Φ85 |
mm |
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分辨率 |
1.5/0.4 |
nm |
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空载谐振频率 |
1100 |
Hz±20% |
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空载阶跃时间 |
15@10μm |
ms±20% |
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承载能力 |
水平安装 | 3 |
kg |
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| 立式安装 | 0.8 | |||
| 倒置安装 | 2 | |||
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静电容量 |
30.6 |
μF±20% |
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材质 |
钢、铝 |
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重量 |
2100 |
g±5% |
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工作温度范围 |
-20~80 |
℃ |
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连接器 |
LEMO |
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出线长 |
1.5 |
m±10mm |
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注：以上参数是采用E00/E01系列压电控制器测得，驱动电压可在-20V~150V;对于高可靠的长期使用，建议驱动电压在0~120V。
| 安装方向 |
水平安装 |
立式安装 |
倒置安装 |
| 释义 |
将PZT平台水平放置安装，运动面位于PZT
平台的上方，运动面与水平面平行。 PS：参数表中承载能力默认方向 |
将PZT平台立式放置安装，运动面与重力方向平行 PS：存在多种立式安装方式，技术参数对应最低承载 |
将PZT平台水平放置，但运动面位于定位台的下方 |
| 示意图 |
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| 备注 |
当安装方式选择为立式安装时，需注意出线口 |
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应用案例
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笼式结构 
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低温真空 
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纳米压印 
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超分辨率显微成像 
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红外超分辨率成像 
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激光直写 
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提高CCD分辨率 
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干涉测量 
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显微镜探针校准 
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纳米光刻 
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